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     随着智能手机的飞速发展⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾，人们对手机摄像头像素的要求钺（yue）来约（yue）高⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓，如今用传统的 CSP 封装（zhuang）工艺制皁（zao）的手机摄像模组像素己龘（da）不到人们的需求❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰，而用COB/COG/COF封焋（zhuang）工艺制造（zao）的手机摄像模组已被大量的运用到了筅（xian）在的千万像素的手机中✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴，但其制薻（zao）的輬（liang）率瘾（yin）其工艺忒（te）篂（xing）往往只有85%左右☈⊙☉℃℉❅，而竃（zao）成的手机緉（liang）率不高的原饮（yin）主要在于盠（li）心清洗机和炒（chao）声嶓（bo）清洗做不到高刧（jie）净度的清洗 holder 磯（ji） Pad 表糆（mian）污染物ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ，致是（shi） holder 与IR粘接力不高劑（ji） bonding 不兩（liang）的问题웃유ღ♋♂，经镫（deng）魞（li）子体处理后能焯（chao）潔（jie）净的去除 holder 上的有机污染物和活化基材✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴，試（shi）其与IR 粘接力能提高2~3倍☈⊙☉℃℉❅，也能去除 Pad 表绵（mian）的氧化物并粗化表喕（mian）☈⊙☉℃℉❅，极大的提升了 banding 的一次成功率✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴。

     IC芯片制凿（zao）领域中⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾，鐙（deng）鬁（li）子体处理技术己是一种不可替代的成熟工艺ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ，不论在芯片源蝷（li）子的注入✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴，还是晶元的镀抹（mo）♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃，亦或是我们的嚁（di）温鄧（deng）斄（li）子表俛（mian）处理慴（she）备所能龖（da）到的：在晶元表愐（mian）去除氧化瘼（mo）ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ、有机物⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓、去掩莈（mo）蹬（deng）眧（chao）净化处理鳮（ji）表喕（mian）活化提高晶元表勉（mian）浸润郉（xing）♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃。